企业简介
苏州晶讯科技股份有限公司 main business:半导体器件、高分子、陶瓷新材料器件、模组、PESD静电抑制器的研发设计、加工制造及销售；相关电子元器件的研发和销售；电子元器件专业领域内的技术开发、转让、咨询和服务，以及相关产品与技术的进出口业务。 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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苏州晶讯科技股份有限公司的工商信息
- 320500000058974
- 91320500673933534Y
- 在业
- 股份有限公司(非上市)
- 2008年04月01日
- 滕有西
- 3020万元人民币
- 2008年04月01日 至 永久
- 苏州市工商行政管理局
- 2016年10月17日
- 苏州高新区昆仑山路189号
- 半导体器件、电子材料、高分子、陶瓷新材料器件、模组、PESD静电抑制器的研发设计、加工制造及销售；相关电子元器件的研发和销售；电子元器件专业领域内的技术开发、转让、咨询和服务，以及相关产品与技术的进出口业务。（生产按环保审核意见范围经营）（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
苏州晶讯科技股份有限公司的域名
| 类型 | 名称 | 网址 |
| 网站 | 苏州晶讯科技股份有限公司 | www.semiteltech.com |
| 网站 | 苏州晶讯科技股份有限公司 |
苏州晶讯科技股份有限公司的商标信息
苏州晶讯科技股份有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN104650808B | 一种用于防静电器件的浆料 | 2017.03.08 | 本发明公开了一种用于防静电器件的浆料，由以下重量百分比的原料制成：有机载体10～15％、玻璃粉体10 |
| 2 | CN104600568B | 一种陶瓷静电抑制器及其制备方法 | 2017.03.01 | 本发明公开了一种陶瓷静电抑制器及其制备方法，采取半导体材料和厚膜印刷工艺相结合，在电极切槽部位印刷具 |
| 3 | CN104201063B | 电子产品用熔断器的制造工艺 | 2017.01.04 | 本发明公开一种电子产品用熔断器的制造工艺，其灭弧玻璃层为一灭弧玻璃片，此灭弧玻璃片由硼硅酸铅玻璃组成 |
| 4 | CN105925059A | 一种种子油墨 | 2016.09.07 | 本发明公开了一种种子油墨，包括以下重量份数的原料：铁粉30～85重量份、有机载体3～16重量份、有机 |
| 5 | CN104599742B | 一种薄膜太阳能电池用导电浆料 | 2016.08.31 | 本发明公开了一种薄膜太阳能电池用导电浆料，包括30～88％的银粉、2～20％的有机载体，10～68％ |
| 6 | CN105855535A | 一种可用来制作种子油墨的铁粉的制备方法 | 2016.08.17 | 本发明公开了一种可用来制作种子油墨的铁粉的制备方法，在惰性气体的气氛中，利用高能高速振动盘式研磨机将 |
| 7 | CN104201076B | 具有抑制电弧功能的熔断器 | 2016.05.18 | 本发明公开一种具有抑制电弧功能的熔断器，所述熔体位于陶瓷片表面，两个接线端子分别与熔体两端电连接，灭 |
| 8 | CN103972002B | 防拉弧贴装型熔断器 | 2016.02.10 | 本发明公开一种防拉弧贴装型熔断器，包括熔断芯片，此熔断芯片主要由两个端电极、陶瓷基片、第一熔体层和第 |
| 9 | CN103956307B | 高可靠性熔断器 | 2016.02.10 | 本发明公开一种高可靠性熔断器，包括熔断芯片，此熔断芯片主要由两个端电极、陶瓷基片、第一熔体层和第一灭 |
| 10 | CN103956306B | 微型表面贴装式熔断器 | 2016.01.20 | 本发明公开一种微型表面贴装式熔断器，包括熔断芯片，此熔断芯片主要由两个端电极、陶瓷基片、第一熔体层和 |
| 11 | CN101540323A | 可编程半导体抗浪涌保护器件、制作工艺及版图 | 2009.09.23 | 一种可编程半导体抗浪涌保护器件，用于保护用户线接口电路板的浪涌保护，包括：第一二极管，该正极连接至K |
| 12 | CN105119047A | 新型馈电结构的四臂螺旋天线 | 2015.12.02 | 本发明公开一种新型馈电结构的四臂螺旋天线，包括轴心处具有通孔的陶瓷柱体、上PCB印刷电路板、下PCB |
| 13 | CN204642457U | 一种产品的包装托盘 | 2015.09.16 | 本实用新型提供了一种产品的包装托盘，其使得相邻的产品不互相依靠，确保产品的安全运输。其包括底板、载板 |
| 14 | CN104650808A | 一种用于防静电器件的浆料 | 2015.05.27 | 本发明公开了一种用于防静电器件的浆料，由以下重量百分比的原料制成：有机载体10～15％、玻璃粉体10 |
| 15 | CN104600568A | 一种陶瓷静电抑制器及其制备方法 | 2015.05.06 | 本发明公开了一种陶瓷静电抑制器及其制备方法，采取半导体材料和厚膜印刷工艺相结合，在电极切槽部位印刷具 |
| 16 | CN104599742A | 一种薄膜太阳能电池用导电浆料 | 2015.05.06 | 本发明公开了一种薄膜太阳能电池用导电浆料，包括30～88％的银粉、2～20％的有机载体，10～68％ |
| 17 | CN104485154A | 一种激光照射形成铜电路的含铜电子浆料 | 2015.04.01 | 本发明公开了一种激光照射形成铜电路的含铜电子浆料，包括以下重量份数的原料：铜粉30～90重量份、有机 |
| 18 | CN102623273B | 小型熔断器 | 2015.02.18 | 本发明公开一种小型熔断器，由两个接线端子、基板、熔体和灭弧玻璃层组成，所述熔体位于陶瓷片表面，两个接 |
| 19 | CN104201063A | 电子产品用熔断器的制造工艺 | 2014.12.10 | 本发明公开一种电子产品用熔断器的制造工艺，其灭弧玻璃层为一灭弧玻璃片，此灭弧玻璃片由硼硅酸铅玻璃组成 |
| 20 | CN104201076A | 具有抑制电弧功能的熔断器 | 2014.12.10 | 本发明公开一种具有抑制电弧功能的熔断器，所述熔体位于陶瓷片表面，两个接线端子分别与熔体两端电连接，灭 |
| 21 | CN102664127B | 表面贴装熔断器 | 2014.11.26 | 本发明公开一种表面贴装熔断器，包括熔断芯片，此熔断芯片主要由端电极、陶瓷基片、熔体层和灭弧玻璃层组成 |
| 22 | CN102610449B | 用于小型熔断器的灭弧玻璃制造方法 | 2014.08.06 | 本发明公开一种用于小型熔断器的灭弧玻璃制造方法，所述小型熔断器由两个接线端子、陶瓷片、熔体和灭弧玻璃 |
| 23 | CN103972002A | 防拉弧贴装型熔断器 | 2014.08.06 | 本发明公开一种防拉弧贴装型熔断器，包括熔断芯片，此熔断芯片主要由两个端电极、陶瓷基片、第一熔体层和第 |
| 24 | CN103956306A | 微型表面贴装式熔断器 | 2014.07.30 | 本发明公开一种微型表面贴装式熔断器，包括熔断芯片，此熔断芯片主要由两个端电极、陶瓷基片、第一熔体层和 |
| 25 | CN103956307A | 高可靠性熔断器 | 2014.07.30 | 本发明公开一种高可靠性熔断器，包括熔断芯片，此熔断芯片主要由两个端电极、陶瓷基片、第一熔体层和第一灭 |
| 26 | CN102646558B | 耐高压的表面贴装熔断器 | 2014.07.09 | 本发明公开一种耐高压的表面贴装熔断器，包括熔断芯片，此熔断芯片主要由两个端电极、陶瓷基片、第一熔体层 |
| 27 | CN102220109B | 一种用于静电器件的浆料制备方法 | 2013.10.02 | 本发明公开一种用于静电器件的浆料制备方法，包括以下步骤：制备玻璃包覆原料，此玻璃包覆原料包括异丙醇钙 |
| 28 | CN202977348U | 表面贴装熔断器 | 2013.06.05 | 本实用新型公开一种表面贴装熔断器，包括一中间具有圆形通孔的熔断本体，一陶瓷纤维棒位于所述熔断本体的圆 |
| 29 | CN202977347U | 用于表面贴装的熔断器 | 2013.06.05 | 本实用新型公开一种用于表面贴装的熔断器，包括一中间具有圆形通孔的熔断本体，一陶瓷纤维棒位于所述熔断本 |
| 30 | CN202977346U | 耐高压表面贴装熔断器 | 2013.06.05 | 本实用新型公开一种耐高压表面贴装熔断器，包括一中间具有圆形通孔的熔断本体，一金属丝位于所述熔断本体的 |
| 31 | CN102184913B | 一种防静电器件 | 2012.11.07 | 一种防静电器件，所述防静电器件设有由保护层封装的印有第一金属层的基板和第二金属层，此第一金属层的基板 |
| 32 | CN102664127A | 表面贴装熔断器 | 2012.09.12 | 本发明公开一种表面贴装熔断器，包括熔断芯片，此熔断芯片主要由端电极、陶瓷基片、熔体层和灭弧玻璃层组成 |
| 33 | CN102646558A | 耐高压的表面贴装熔断器 | 2012.08.22 | 本发明公开一种耐高压的表面贴装熔断器，包括熔断芯片，此熔断芯片主要由两个端电极、陶瓷基片、第一熔体层 |
| 34 | CN101560060B | 太阳能电池导电浆料用低温玻璃的表面处理方法 | 2012.08.22 | 本发明公开了一种低温玻璃的表面活性处理方法，具体涉及应用于晶体硅太阳能电池正面电极浆料所采用的低温玻 |
| 35 | CN102637467A | 用于硅晶太阳能电池正面电极的导电浆料 | 2012.08.15 | 本发明公开一种用于硅晶太阳能电池正面电极的导电浆料，由有下列质量百分含量的材料组成：导电相70%～9 |
| 36 | CN102623273A | 小型熔断器 | 2012.08.01 | 本发明公开一种小型熔断器，由两个接线端子、基板、熔体和灭弧玻璃层组成，所述熔体位于陶瓷片表面，两个接 |
| 37 | CN102610449A | 用于小型熔断器的灭弧玻璃制造方法 | 2012.07.25 | 本发明公开一种用于小型熔断器的灭弧玻璃制造方法，所述小型熔断器由两个接线端子、陶瓷片、熔体和灭弧玻璃 |
| 38 | CN102585602A | 一种取代贵金属的印刷电路用催化油墨 | 2012.07.18 | 一种取代贵金属的印刷电路用催化油墨，其特征在于：主要由功能材料10~90%、有机载体2~18%和有机 |
| 39 | CN102573313A | 一种利用贱金属催化油墨制作印刷电路的方法 | 2012.07.11 | 一种利用贱金属催化油墨制作印刷电路的方法，其特征在于：油墨主要由功能材料10~90%、有机载体2~1 |
| 40 | CN202120902U | 一种静电防护器件 | 2012.01.18 | 一种静电防护器件，包括：一表面压合有第一金属层的基板，此第一金属层包括第一、二、三、四正极导电区和一 |
| 41 | CN202111085U | 一种静电放电防护器件结构 | 2012.01.11 | 一种静电放电防护器件结构，包括一表面压合有第一金属层的基板，此第一金属层包括一正极导电区和一负极导电 |
| 42 | CN102220109A | 一种用于静电器件的浆料制备方法 | 2011.10.19 | 本发明公开一种用于静电器件的浆料制备方法，包括以下步骤：制备玻璃包覆原料，此玻璃包覆原料包括异丙醇钙 |
| 43 | CN102184913A | 一种防静电器件 | 2011.09.14 | 一种防静电器件，所述防静电器件设有由保护层封装的印有第一金属层的基板和第二金属层，此第一金属层的基板 |
| 44 | CN101640414B | 具有深阱结构的可编程半导体抗浪涌保护器件 | 2011.06.15 | 一种具有深阱结构的可编程半导体抗浪涌保护器件，由一个、两个或四个保护单元组成，每个保护单元均由一个P |
| 45 | CN101488385B | 一种高分子基瞬态电压抑制元件及其制造方法 | 2011.05.11 | 本发明公开了一种高分子基瞬态电压抑制元件及其制造方法。所述高分子基瞬态电压抑制元件，包括线路板基体， |
| 46 | CN201498983U | 具有深阱结构的可编程半导体抗浪涌保护器件 | 2010.06.02 | 一种具有深阱结构的可编程半导体抗浪涌保护器件，由一个、两个或四个保护单元组成，每个保护单元均由一个P |
| 47 | CN101640414A | 具有深阱结构的可编程半导体抗浪涌保护器件 | 2010.02.03 | 一种具有深阱结构的可编程半导体抗浪涌保护器件，由一个、两个或四个保护单元组成，每个保护单元均由一个P |
| 48 | CN101560060A | 太阳能电池导电浆料用低温玻璃的表面处理方法 | 2009.10.21 | 本发明公开了一种低温玻璃的表面活性处理方法，具体涉及应用于晶体硅太阳能电池正面电极浆料所采用的低温玻 |
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